H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NCMR-XNC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-UHC par SK hynix et H5ANAG6NCMR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NCMR-XNC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Mobile LPDDR4 Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,20 $31,40
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile DRAM)
Memory Density 16 Gb (2 GB) —
Organisation de la mémoire 1G x 16 —
Interface CMOS, Double Data Rate IV Parallel
Boîtier FBGA-96 (PBGA-96) FBGA-96
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] XN (3200)
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] 1.2 V
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] [DATA_NEEDED: refresh rate]
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS Compliant
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers —
Taille de mémoire — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Débit de données — 3200 Mbps/pin
Technology — CMOS
Power Class — Normal Power
Product Status — Active
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fiches techniques et ressources

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