H5ANAG8NBJR-PBC vs H5ANAG6NBJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-PBC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $31,50 $15,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (2 GB) —
Organisation de la mémoire x8 [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet]
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade / Data Rate PBC suffix, DDR4-2666 class —
Boîtier FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) FBGA-96 (PBGA96)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Bank Architecture 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) —
Prefetch 8n —
Type d'interface Parallel, SSTL12 —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C (family grade reference)
CAS Latency (typical bin) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes —
Die Revision BJR —
Statut RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard quantity] —
Manufacturer — SK Hynix
Part Number — H5ANAG6NBJR-VKC
Memory Density — 16Gb (2GB)
Débit de données — 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code)
Tension d'alimentation — 1.2 V (DDR4 standard)
Interface — DDR4, SSTL-12
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes

Fiches techniques et ressources

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