H5ANAG8NBJR-PBC vs H5ANAG8NAMR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-PBC par SK hynix et H5ANAG8NAMR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NBJR-PBC H5ANAG8NAMR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $31,50 $2,15
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gbit
Organisation de la mémoire x8 2G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade / Data Rate PBC suffix, DDR4-2666 class —
Boîtier FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) FBGA-78
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Bank Architecture 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) —
Prefetch 8n —
Type d'interface Parallel, SSTL12 —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS Latency (typical bin) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes Self-refresh and auto-refresh (DDR4)
Die Revision BJR —
Statut RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) Compliant (lead-free FBGA package)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard quantity] —
Manufacturer — SK Hynix
Débit de données — DDR4-2400 (2400 MT/s)
Tension d'alimentation — 1.2 V
Interface — Parallel, DDR4
Bank Group Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
Applications — Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules

Fiches techniques et ressources

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