H5ANAG8NCMR-XNI vs H5ANAG8NCMR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCMR-XNI par SK hynix et H5ANAG8NCMR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,15 $8,05
Type de mémoire Volatile (DRAM) DDR4 SDRAM
Memory Format DDR4 SDRAM —
Taille de mémoire 16 Gb 16 Gb
Memory Organization x8 2G x 8
Interface Parallel —
Débit de données 3200 Mbps (DDR4-3200) 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Boîtier FBGA-78 FBGA-78
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray [DATA_NEEDED: standard packing quantity]
Product Status Active —
Manufacturer SK Hynix —
Technology CMOS DDR4 SDRAM —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Speed Grade — VK (per SK hynix speed-bin suffix)
Power Class — Normal Power
Bank Groups — 4
Banks Total — 16
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin]
Manufacturer Process — CMOS DRAM

Fiches techniques et ressources

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