H5CG44MEBDX014 vs H5CG46MEBDX017N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5CG44MEBDX014 par SK hynix et H5CG46MEBDX017N par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5CG44MEBDX014 H5CG44MEBDX014 - 16Gb DDR5-4800 x4 SDRAM | SK hynix

H5CG44MEBDX014 - 16Gb DDR5-4800 x4 SDRAM | SK hynix

H5CG44MEBDX014 ✓ Actif
SK hynix
H5CG46MEBDX017N H5CG46MEBDX017N - 16Gb DDR5 4800Mbps DRAM | SK hynix

H5CG46MEBDX017N - 16Gb DDR5 4800Mbps DRAM | SK hynix

H5CG46MEBDX017N ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5CG44MEBDX014 H5CG46MEBDX017N
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,12 $4,10
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb —
Organisation de la mémoire 4G x 4 1G x 16
Débit de données 4800 MT/s (DDR5-4800) 4800 Mbps/pin
Clock Frequency 2400 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Boîtier 78-ball FBGA —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Process Node / Die 1st-generation M-die (1z-class) —
Type d'interface Parallel, DDR5 DDR5 (synchronous, double data rate)
Memory Configuration DRAM component (not module) —
On-Die ECC Yes (DDR5 standard feature) Yes (DDR5 standard feature)
Applications Server, client, embedded, industrial computing —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Density — 16 Gbit
Speed Grade — DDR5-4800
VDD Supply Voltage — 1.1 V
VDDQ Supply Voltage — 1.1 V
Package Type — FCBGA (flip-chip ball grid array)
Bank Groups — DDR5 architecture (8 bank groups)
Part Family — H5CG46 series
Manufacturer Status — MP (mass production)
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Fiches techniques et ressources

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