H5TC4G63CFR-H9I vs MT41K256M16HA-125 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-H9I par SK hynix et MT41K256M16HA-125 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ Actif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63CFR-H9I MT41K256M16HA-125
Marque SK hynix Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $7,20 $6,36
Type de mémoire DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
Organisation de la mémoire 256M x 16 —
Tension d'alimentation 1.35 V 1.35 V
I/O Voltage 1.35 V —
Débit de données 1866 Mbps (PC3-14900) —
Boîtier 96-ball TFBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) —
Number of Terminals 96 —
Memory Width 16 bits —
Lead-Free Yes Yes
Sans halogène Yes —
RoHS Compliant Yes —
Latence CAS Programmable (11, 12, 13) 11
Burst Length 8 and 4 —
On-Die Termination Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Taille de mémoire — 4Gbit (256M x 16)
Largeur du bus de données — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Nombre de broches — 96
Type de montage — Surface Mount
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Statut RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Fiches techniques et ressources

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