H5TC4G63MFR-PBA vs H5TC4G63AFR-G7A Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63MFR-PBA par SK hynix et H5TC4G63AFR-G7A par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63MFR-PBA | H5TC4G63AFR-G7A |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | — |
| Débit de données | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| CAS Latency (CL) | Programmable | — |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | CMOS |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.35V |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to 95°C (case) |
| Latence CAS | — | Programmable (e.g., 11) |
| Refresh Period | — | 7.8us at 85°C |
| On-Die Termination | — | Supported |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |