IAUC100N04S6L014ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6L014ATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6L020ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N04S6L014ATMA1 | IAUC100N04S6L020ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,72 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | IAUC / OptiMOS 6 40V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10V) | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G typical] | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 100 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Packaging | Tape & Reel (ATMA1 suffix) | Tape & Reel (TMA1) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 75 W |
| RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A | — | 2.04 mΩ |
| RDS(on) Typical | — | 2.0 mΩ |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical | — | 2.0 V |
| Qualification | — | Automotive grade |