IAUC100N04S6L025ATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6L025ATMA1 par Infineon et IAUC60N04S6N031HATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N04S6L025ATMA1 | IAUC60N04S6N031HATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $0,95 |
| Technology | OptiMOS 6 40V trench MOSFET | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.5 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 62 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) |
| Process Technology | — | OptiMOS 6 40V |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 60 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 75 W |
| R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Nombre de broches | — | 8 |