IAUC100N04S6N028ATMA1 vs IAUC60N10S5L110ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6N028ATMA1 par Infineon et IAUC60N10S5L110ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 40V OptiMOS™-5
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 400 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 2.8 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 1.5 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g in nC] —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C 62 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: min/max operating temperature]
Boîtier PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 Single)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes —
Statut RoHS Compliant —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) — 60 A
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) — 88 W
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V — 11 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 1.2 V
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg at specified Vgs]
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
Lead-Free / RoHS — Yes (RoHS compliant per LCSC listing)
Packing Code — ATMA1 (Tape & Reel)
Niveau MSL — 1 (per LCSC datasheet snippet)
Sans halogène — Yes (per Infineon product classification)
Customer Info / FGR — J52 (per Infineon product data)

Fiches techniques et ressources

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