IAUC100N08S5N043ATMA1 vs IAUC80N04S6N036ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N08S5N043ATMA1 par Infineon et IAUC80N04S6N036ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUC80N04S6N036ATMA1 IAUC80N04S6N036ATMA1 - 40V 80A OptiMOS-6 N-MOSFET | Infineon

IAUC80N04S6N036ATMA1 - 40V 80A OptiMOS-6 N-MOSFET | Infineon

IAUC80N04S6N036ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC80N04S6N036ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,72 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series IAUC / OptiMOS 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 100 A (package limited) —
Continuous Drain Current (chip-limited) 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W —
Maximum R<sub>DS(on)</sub> 4.3 mΩ —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 125 W (T<sub>C</sub>) —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C -55 C to +175 C
Boîtier PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) MSL1 (up to 260°C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Technology OptiMOS 5 (Trench) —
Channel Mode Enhancement —
Part Family — OptiMOS-6 40 V
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 80 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 50 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 3.6 mOhm
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V]
AEC-Q101 Qualification — Qualified (Automotive)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Terminal Finish — Tin (Sn) (e3 per JESD-609)
Peak Reflow Temperature — 260 C (per JEDEC J-STD-020)
Compliance - RoHS — Compliant
Compliance - REACH — Compliant

Fiches techniques et ressources

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