IAUC100N10S5N040ATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N10S5N040ATMA1 par Infineon et IAUT300N08S5N012ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N10S5N040ATMA1 | IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,62 | $2,20 |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS-5 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 100 A (package-limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | 1200 A (per datasheet, typical) |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 4 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 167 W @ TC=25C | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.9 K/W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (up to 260C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche tested | — |
| AOI Compatibility | Feasible for Automatic Optical Inspection | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™-5 80 V |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 300 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 375 W |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| RoHS Compliance | — | Compliant |