IAUC120N06S5N017ATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5N017ATMA1 par Infineon et IPC100N04S5L1R5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5N017ATMA1 - 60V 120A 1.7mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5N017ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N06S5N017ATMA1 | IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,32 | $1,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 757 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) at VGS=10V | 1.7 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 95.9 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6.952 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 84 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1.507 nF | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 167 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | -55C to +175C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-43 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes (Automotive Grade) | — |
| Niveau MSL | MSL1 (260°C peak reflow) | MSL1 (260C peak reflow) |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | — |
| Product Family | — | OptiMOS-5 40 V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 115 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.5 mOhm (typ) |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V | — | 1.8 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Tested | — | 100% |