IAUC60N04S6N044ATMA1 vs IAUCN04S6N009TATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC60N04S6N044ATMA1 par Infineon et IAUCN04S6N009TATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,98 $1,71
Technology OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C 60 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V 4.4 mΩ —
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: typical gate charge] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C 42 W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +175°C —
Boîtier PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad PG-LHDSO-10-2 (SSO10T)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified (IAUC prefix) AEC-Q101
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 40 V
Part Number — IAUCN04S6N009T
Ordering Code (MPN) — IAUCN04S6N009TATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, at Tj) — 330 A
Power Dissipation (PD, at Tc) — 178 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Fiches techniques et ressources

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