IAUC90N10S5N062ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC90N10S5N062ATMA1 par Infineon et BSC0902NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC90N10S5N062ATMA1 BSC0902NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,95 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 90 A —
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.2 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 115 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5) —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) Yes (100% avalanche tested)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS / Green Product Yes (RoHS compliant, Green Product) —
Lead-Free Yes —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (Tj)
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Sans halogène — Yes, per IEC 61249-2-21

Fiches techniques et ressources

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