IAUCN04S7L014ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7L014ATMA1 par Infineon et BSC019N04LSTATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7L014ATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,38 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 40V Automotive —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 120 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.43 mΩ —
Tension de seuil de grille [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg] —
Power Dissipation (Pd) [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd] —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range) -55 C to +150 C
Boîtier PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Configuration Single N-Channel MOSFET —
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

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