IAUCN04S7L050HATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7L050HATMA1 par Infineon et IAUA180N04S5N012AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7L050HATMA1 | IAUA180N04S5N012AUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,83 | $1,96 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | OptiMOS-5 40 V |
| Configuration | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | 65 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.04 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 40 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) | PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) | AEC-Q101 |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V | OptiMOS-5 Trench |
| Part Number | — | IAUA180N04S5N012AUMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 180 A (Tc) |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 125 W (Tc) |
| R_DS(on) (max) | — | 1.2 mΩ at 10 V VGS |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |