IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUC100N04S6N022ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N015GATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6N022ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N015GATMA1 | IAUC100N04S6N022ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,21 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 165 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (P_D) | 96 W (Tc) | — |
| R_DS(on) max | 1.53 mΩ at V_GS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Boîtier | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount | PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q100 (IAUC family) |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de montage | Surface Mount (IMS-compatible source-down) | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Technology | — | OptiMOS 6, N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 75 W |
| R_DS(on) (typ at V_GS=10V) | — | 2.2 mOhm |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C (junction) |
| Polarity | — | N-Channel enhancement mode |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Gate Threshold V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge Q_g | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free | — | Yes |