IAUCN04S7N037GATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N037GATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L042GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Technology Trench MOSFET, N-Channel Trench N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 91 A —
On-State Resistance RDS(on) typical 3.65 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc 57 W —
Boîtier SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
Type de montage Surface Mount (IMS substrate attach compatible) Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] -55C to +175C (Tj)
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Product Family — OptiMOS 7 40V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Fiches techniques et ressources

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