IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7N024ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N006ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies —
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 7 trench OptiMOS 5 (trench)
Boîtier PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-43
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (typical automotive) -55 C to +175 C
Dissipation de puissance (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Continuous Drain Current (ID) — 175 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Junction Temperature Max — 175 C
Power Dissipation Max (Pd) — [DATA_NEEDED: Pd max]
Gate Charge Total (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)

Fiches techniques et ressources

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