IAUCN08S7N034ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7N034ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N006ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN08S7N034ATMA1 - 80V 120A 3.4mΩ Automotive MOSFET | Infineon
IAUCN08S7N034ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN08S7N034ATMA1 | IAUCN04S7N006ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,48 | $0,95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ 7 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 120 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | 3.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | 3.2 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) | 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V | — |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | 1.27 nF | — |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | 3.115 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | 23 pF | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 118 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-43 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL 1 (unlimited floor life) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 175 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Technology | — | OptiMOS 5 (trench) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Junction Temperature Max | — | 175 C |
| Power Dissipation Max (Pd) | — | [DATA_NEEDED: Pd max] |
| Gate Charge Total (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (compliant) |