IAUZN10S7L289ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZN10S7L289ATMA1 par Infineon et IAUC120N06S5L015ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUZN10S7L289ATMA1 IAUZN10S7L289ATMA1 - 100V 27A OptiMOS-7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN10S7L289ATMA1 - 100V 27A OptiMOS-7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN10S7L289ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZN10S7L289ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-7 —
Technology Trench MOSFET (N-Channel) N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 27 A —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) 45 W —
On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) 28.9 mΩ —
Boîtier PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Automotive Grade AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (Tj) -55C to +175C (Tj)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Nombre de broches 8 —
RoHS Compliance Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

Fiches techniques et ressources

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