IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGL65R080D2XUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IGLR70R200D2SXUMA1 par Infineon et IGL65R080D2XUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IGLR70R200D2SXUMA1 | IGL65R080D2XUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,24 | $1,97 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN G5 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | GaN-on-Si, 200 mm wafer |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | 18 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | 81 W |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40 °C to +150 °C | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Boîtier | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) |
| RoHS | Compliant | — |
| Type de transistor | — | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) |
| On-Resistance RDS(on) | — | 80 mΩ (typical) |
| Type de montage | — | Surface Mount, wettable flank |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Typical Applications | — | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) |