IGLR70R270D2SXUMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IGLR70R270D2SXUMA1 par Infineon et IGLR70R200D2SXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IGLR70R270D2SXUMA1 | IGLR70R200D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,13 | $1,24 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 | CoolGaN G5 |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 7.3 A | 9.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 28 W | 34 W |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | 270 mΩ | — |
| Boîtier | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Gate Drive | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) | — |
| Wafer Process | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40C to +150C (junction) | -40 °C to +150 °C |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (no body diode) | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 200 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 1.26 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 91 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 0.21 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 1.2 V |
| RoHS | — | Compliant |