IPA60R180P7SXKSA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPA60R180P7SXKSA1 par Infineon et IPD80R600P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPA60R180P7SXKSA1 | IPD80R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,74 | $0,92 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | CoolMOS P7 super-junction |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 180 mOhm (max at 25C) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 26 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | 3 V (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Boîtier | PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Through Hole | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 8 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 22 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 600 mΩ at VGS=10V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 60 W (Tc) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | — | 20 mJ |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | — | 0.17 mJ |
| Polarity | — | N-Channel |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |