IPB014N06NATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB014N06NATMA1 par Infineon et ISC015N06NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB014N06NATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,10 $0,62
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
On-Resistance RDS(on) max 1.4 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
Qualification JEDEC qualified for target applications —
Primary Application Synchronous rectification, motor control —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C
Statut RoHS — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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