IPB020N10N5LFATMA1 vs IPD70N10S312ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB020N10N5LFATMA1 par Infineon et IPD70N10S312ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 - 100V 176A 2mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 ✓ ActifInfineon
IPD70N10S312ATMA2 - 100V 70A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPD70N10S312ATMA2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB020N10N5LFATMA1 | IPD70N10S312ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,62 | $0,69 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 Linear FET | — |
| Technology | N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 176 A | — |
| Silicon-Limited Drain Current | 289 A | — |
| Package-Limited Drain Current | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) | 10.2 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 2.0 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 313 W | — |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | 1 (unlimited floor life) |
| Marking Code | 020N10LF | — |
| Part Number | — | IPD70N10S312ATMA2 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 70 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | — | 125 W |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Rated | — | Yes |