IPB027N10N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB027N10N3GATMA1 par Infineon et IPB025N10N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB025N10N3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB027N10N3GATMA1 | IPB025N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,62 | $3,74 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (TJ) | -55C to +175C (junction) |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | [DATA_NEEDED: exact °C/W value] | — |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | 1 (unlimited) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 180 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 300 W |
| RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A | — | 2.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2.58 nF |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Sans halogène | — | Yes |