IPB35N10S3L26ATMA2 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB35N10S3L26ATMA2 par Infineon et IPB35N10S3L26ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB35N10S3L26ATMA2 | IPB35N10S3L26ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $1,15 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS Power-Transistor | OptiMOS-T |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 35 A | — |
| Courant de drain pulsé | 180 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| RDS(on) (typical) | 26.3 mOhm | — |
| Boîtier | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Nombre de broches | 3 | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product page classification) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 35 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 71 W |
| Package Type | — | PG-TO263-3 (D2PAK-2) |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| RDS(on) (typical per Infineon product page) | — | 26.3 mΩ |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | — | 80 nC |
| Maximum Drain-Source Resistance Rds | — | 1.7 mΩ (per RS Components listing) |
| Minimum Operating Temperature | — | -55 C |
| Maximum Power Dissipation Pd | — | 81 W (per RS Components listing) |
| AEC-Q101 Qualification | — | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] |