IPB35N10S3L26ATMA2 vs IQE013N04LM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB35N10S3L26ATMA2 par Infineon et IQE013N04LM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB35N10S3L26ATMA2 | IQE013N04LM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS Power-Transistor | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 35 A | — |
| Courant de drain pulsé | 180 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| RDS(on) (typical) | 26.3 mOhm | — |
| Boîtier | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Nombre de broches | 3 | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product page classification) | — |
| Technology | — | OptiMOS N-channel trench MOSFET |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 205 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typ) |
| Source-Down Topology | — | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) |