IPC100N04S52R8ATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPC100N04S52R8ATMA1 par Infineon et IPC100N04S5L1R5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPC100N04S52R8ATMA1 | IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $1,18 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100C) | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 75 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (260C peak reflow) | MSL1 (260C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% (per Infineon standard) | 100% |
| RoHS / Green Product | Yes (RoHS compliant) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-5 40 V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 115 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.5 mOhm (typ) |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V | — | 1.8 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant (Green Product) |