IPD031N03LGATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD031N03LGATMA1 par Infineon et BSC034N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD031N03LGATMA1 | BSC034N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,41 | $0,65 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C | 90 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 94 W (Tc) | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] | — |
| Output Charge (Qoss) | Ultra low (per datasheet tagline) | — |
| Température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Mounting Tab | Drain (electrically connected) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 74 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |