IPD031N03LGATMA1 vs IPB081N06L3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD031N03LGATMA1 par Infineon et IPB081N06L3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB081N06L3GATMA1 - 60V 50A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB081N06L3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD031N03LGATMA1 | IPB081N06L3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,41 | $0,95 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 | OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C | 90 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 94 W (Tc) | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] | — |
| Output Charge (Qoss) | Ultra low (per datasheet tagline) | — |
| Température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Mounting Tab | Drain (electrically connected) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 8.1 mOhm typical |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 79 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Nombre de broches | — | 3 |
| Pin Configuration | — | Gate / Drain / Source (D2PAK standard) |