IPD031N06L3GATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD031N06L3GATMA1 par Infineon et BSC039N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD031N06L3GATMA1 | BSC039N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,46 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | — |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 |
| Niveau MSL | 1 (Unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Power Dissipation at TA (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (PD) | — | 69 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |