IPD034N06N3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD034N06N3GATMA1 par Infineon et BSC076N06NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD034N06N3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,51 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm 7.6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] ±20 V
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +150C
Statut RoHS Compliant (Pb-free green finish) —
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
RoHS Compliance — Compliant
Sans halogène — Yes (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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