IPD042P03L3GATMA1 vs IRFR5305TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD042P03L3GATMA1 par Infineon et IRFR5305TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD042P03L3GATMA1 | IRFR5305TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,28 | $0,32 |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | -70 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -280 A | — |
| RDS(on) max @ VGS = -10 V | 4.2 mΩ | — |
| RDS(on) max @ VGS = -4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -1.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) | 150 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 290 mJ | 270 mJ |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (TJ) | -55 C to +175 C |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Technology | OptiMOS™ P (Trench) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Niveau MSL | 1 | 1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | — | 65 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -2 V to -4 V |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 110 W |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |