IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD30N10S3L34ATMA1 par Infineon et IPD30N10S3L34ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD30N10S3L34ATMA1 | IPD30N10S3L34ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $0,92 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| Type de transistor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 57 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 31 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | 23 nC | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | -55 C to +175 C |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Niveau MSL | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS / REACH | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche tested | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 180 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 57 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 31 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | — | 2.4 V |
| Total Gate Charge (Qg) max | — | 31 nC |
| Package / Supplier Device Package | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Pin / Tab Count | — | 3 (2 + Tab) |
| Technology | — | OptiMOS-T (trench) |
| Statut RoHS | — | Compliant |