IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD30N08S2L21ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD30N10S3L34ATMA2 par Infineon et IPD30N08S2L21ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD30N10S3L34ATMA2 | IPD30N08S2L21ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,92 | $0,48 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 57 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 31 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | 2.4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) max | 31 nC | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Package / Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin / Tab Count | 3 (2 + Tab) | — |
| Technology | OptiMOS-T (trench) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | — | 26 milliohm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (L series) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 56 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 136 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Maximum Junction Temperature | — | +175C |
| Boîtier | — | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| Nombre de broches | — | 3 (Drain tab + Gate + Source) |