IPD35N10S3L26ATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD35N10S3L26ATMA1 par Infineon et IPD30N10S3L34ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD35N10S3L26ATMA1 IPD30N10S3L34ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,81 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD35N10S3L26ATMA1 —
Technology OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) OptiMOS-T (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 35 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 26 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V —
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C 71 W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +175°C -55 C to +175 C
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK-2) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Green product (halogen-free) —
Typical Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 30 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 180 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 57 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 31 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max — 2.4 V
Total Gate Charge (Qg) max — 31 nC
Package / Supplier Device Package — PG-TO252-3-11 (DPAK)
Pin / Tab Count — 3 (2 + Tab)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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