IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD30N10S3L34ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD35N10S3L26ATMA2 par Infineon et IPD30N10S3L34ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD35N10S3L26ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) —
Nombre de broches 3 (Drain, Source, Gate + tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) OptiMOS-T (trench)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 30 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 180 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 57 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 31 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max — 2.4 V
Total Gate Charge (Qg) max — 31 nC
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Package / Supplier Device Package — PG-TO252-3-11 (DPAK)
Pin / Tab Count — 3 (2 + Tab)

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