IPD50N10S3L16ATMA2 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD50N10S3L16ATMA2 par Infineon et IPD65R380E6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 - 100V 50A 15mΩ N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD50N10S3L16ATMA2 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,96 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-T | CoolMOS™ E6 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Maximum R_DS(on) at VGS=10V | 15 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C | 100 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (2 + Tab) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Delivery Form | Tape and Reel (T&R) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |