IPD50P04P413ATMA2 vs IPD50P04P4L11ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD50P04P413ATMA2 par Infineon et IPD50P04P4L11ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD50P04P413ATMA2 | IPD50P04P4L11ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,42 | $0,82 |
| Polarity / Device Type | P-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS-P2 (Trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -40 V | — |
| Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) | [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | — |
| Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) | 58 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V | 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Maximum Junction Temperature (TJ,max) | 175 °C | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack Quantity (13" reel) | 2500 pcs | — |
| Niveau MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Type de transistor | — | P-Channel MOSFET, enhancement mode |
| Drain-Source Voltage VDS | — | -40 V |
| Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) | — | -50 A |
| On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) | — | 10.6 mΩ typical |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1.0 V to -2.5 V typical |
| Typical Gate Charge Qg | — | 45 nC |
| Power Dissipation PD (TC = 25 °C) | — | 58 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Nombre de broches | — | 3 (Drain / Tab / Source / Gate) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |