IPD60N10S412ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD60N10S412ATMA1 par Infineon et IAUC120N06S5L015ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD60N10S412ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,82 | $0,92 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD60N10S412ATMA1 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 60 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 94 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 12.2 mOhm | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| Nombre de broches | 3 (2 + Tab) | — |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (Automotive Grade) | — |
| Statut RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| Sans halogène | Yes (per Infineon definition) | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C (Tj) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |