IPD70N10S312ATMA2 vs IPD30N10S3L34ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD70N10S312ATMA2 par Infineon et IPD30N10S3L34ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD70N10S312ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,69 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD70N10S312ATMA2 —
Technology OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) OptiMOS-T (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 125 W —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL level]
Avalanche Rated Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 30 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 180 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 57 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 31 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max — 2.4 V
Total Gate Charge (Qg) max — 31 nC
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Package / Supplier Device Package — PG-TO252-3-11 (DPAK)
Pin / Tab Count — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101

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