IPN70R2K0P7SATMA1 vs IPN70R1K4P7SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPN70R2K0P7SATMA1 par Infineon et IPN70R1K4P7SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 - 700V CoolMOS P7 MOSFET, 3A | Infineon

IPN70R2K0P7SATMA1 - 700V CoolMOS P7 MOSFET, 3A | Infineon

IPN70R2K0P7SATMA1 ✓ Actif
Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Superjunction (CoolMOS P7)
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 3 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 6 W —
On-Resistance (RDS(on)) 2.0 Ω (max, VGS=10 V) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typical) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Gate-Source Voltage (VGS max) ±20 V —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C -55C to +150C (TJ)
Boîtier PG-SOT223 (3 leads + tab) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Integrated ESD Diode Yes —
Statut RoHS Compliant (ROHS3) Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Series — CoolMOS P7
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 1.4 ohm class (per '1K4' suffix)
Total Power Dissipation (PD) at TC — 6.2 W
Configuration — Single with built-in diode
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
DPAK Footprint Compatible — Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet)

Fiches techniques et ressources

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