IPTG025N15NM6ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPTG025N15NM6ATMA1 par Infineon et IAUCN08S7N024ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPTG025N15NM6ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,52 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) OptiMOS 7 trench
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 26 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 264 A (pulsed) 165 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 395 W —
On-State Resistance RDS(on) typ 2.5 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Boîtier PG-HSOG-8-1 (TOLG) PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) -55C to +175C (typical automotive)
Statut RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Solder Joint Reliability Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK —
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Dissipation de puissance (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS Compliance — Compliant
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

Fiches techniques et ressources

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