IQD020N10NM5CGATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQD020N10NM5CGATMA1 par Infineon et IQE050N08NM5CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 - 100V 2.0mΩ OptiMOS™ 5 N-MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 ✓ ActifInfineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQD020N10NM5CGATMA1 | IQE050N08NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,28 | $1,75 |
| Technology | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET | OptiMOS 5 (Source-Down) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 26 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | 273 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 2.0 mΩ (at VGS=10V) | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 333 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Qualification | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 101 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 5.0 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 100 W |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C (TJ max) |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] |