IQD020N10NM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQD020N10NM5CGSCATMA1 par Infineon et IQE050N08NM5CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 ✓ ActifInfineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQD020N10NM5CGSCATMA1 | IQE050N08NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,20 | $1,75 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 100V (IQD series) | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 276 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 26 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 2.0 mOhm at VGS = 10 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) - JLCPCB listing | 1.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.8 V | — |
| Gate Charge (Qg, total) | 107 nC at VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 7.3 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 42 pF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | 100 W |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm) with exposed thermal pad | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Level | Logic-level (10 V VGS rated) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 101 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 5.0 mΩ |
| Technology | — | OptiMOS 5 (Source-Down) |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C (TJ max) |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |