IQD020N10NM5CGSCATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQD020N10NM5CGSCATMA1 par Infineon et IQE065N10NM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQD020N10NM5CGSCATMA1 | IQE065N10NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,20 | $1,28 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 100V (IQD series) | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 276 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 26 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 2.0 mOhm at VGS = 10 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) - JLCPCB listing | 1.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.8 V | — |
| Gate Charge (Qg, total) | 107 nC at VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 7.3 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 42 pF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm) with exposed thermal pad | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Level | Logic-level (10 V VGS rated) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | — | 85 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 13 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 6.5 mOhm |
| Power Dissipation at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC | — | 100 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Technology | — | OptiMOS 5 trench-gate |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |