IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE012N03LM5CGATMA1 par Infineon et IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 ✓ Actif
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE012N03LM5CGATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,38 $1,78
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 34 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 224 A —
On-Resistance RDS(on), typ 1.20 mOhm —
Gate-Source Threshold VGS(th) 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
Technology / Process OptiMOS 5 trench —
Boîtier PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) PG-WHTFN-9-1 (surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55 C to +150 C (TJ) —
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible) —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 54 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 422 A
RDS(on) Max — 0.5 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 2 V
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 150 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Series — OptiMOS 7
Technology — Silicon N-Channel Power MOSFET

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